碳化硅陶瓷具有高强度、高孔隙率、高渗透性、比表面积大、抗腐蚀、良好的隔热性、抗热震性和耐高温性等特点 ,碳化硅多孔陶瓷在一般工业领域及高科技领域得到了越来越广泛的应用，由于碳化硅陶瓷的各种优良性能，因此人们非常认可碳化硅陶瓷，所以对碳化硅陶瓷的开发和研制也是非常多的，下面讲几种制备碳化硅陶瓷的方法。
 
    1、热压碳化硅陶瓷  虽然在2000度以上的温度和350MPa以上的压力可以使纯SIC热压致密，但是通常还是采用加入添加剂的方法。热压添加剂有两类：一类与碳化硅中的杂质形成液相，通过液相烧结；一类是与SiC形成固溶体降低晶界能烧结。
 
    2、常压碳化硅陶瓷 常压烧结碳化硅也命名为无压烧结碳化硅，在烧结到2100度以上的温度下，生成高纯度、高致密的碳化硅陶瓷。
 
    3、反应碳化硅陶瓷  反应烧结碳化硅又称为自结合SIC。将碳化硅粉和石墨粉按一定的比例混合压成坯体块,加热到1650度左右，通过气相与C反应生成。